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Sic Mosfet

Der SiC-MOSFET hat eine höhere Schaltfrequenz und eine sehr geringe Schaltfrequenz
Verluste, verbessert die Leistungsumwandlungseffizienz des Systems und
reduziert die Wärmeableitungsanforderungen des Wärmekreislaufs und
mit IGBT-kompatibler Antriebsspannung, voll steuerbares du/dt,
hohe Sperrspannung mit niedrigem Einschaltwiderstand, schnelle intrinsische Diode
mit geringer Rückwärtsverzögerung, temperaturunabhängiger Abschaltung
Verluste, Halogenfrei, RoHS-konform. Hauptsächlich anwendbar für: PV-Wechselrichter,
Energiespeicher, Industriestromversorgung, Motorantrieb, Ladesäule
und anderen Bereichen.

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Beschreibung

SiC-MOSFET ist ein Feldeffekttransistor auf Basis von Siliziumkarbid-Halbleitermaterial.

was im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs eine deutliche Leistungsverbesserung aufweist. ‌

Zu den Hauptvorteilen von SiC-MOSFETs gehören:

‌ hohe Arbeitsfrequenz ‌: Die Arbeitsfrequenz von SiC-MOSFETs ist viel höher als bei herkömmlichen

Silizium-MOSFETs können 1 MHz oder sogar mehr erreichen, was das Stromversorgungssystem im

Das Volumen des Kondensators, der Induktivität oder des Transformators kann reduziert werden, wodurch die Kosten gesenkt werden

Stromversorgung, um die Miniaturisierung und Schönheit der Stromversorgung zu erreichen.

‌ niedrige Einschaltimpedanz ‌: Die Einschaltimpedanz des SiC-MOSFET ist niedrig und die minimale interne

Der Widerstand einer einzelnen Röhre kann mehrere Milliohm erreichen, was dazu beiträgt, den Verbrauch zu reduzieren

Kühlkörper reduzieren das Volumen und Gewicht des Netzteils weiter und verbessern die

Effizienz und Zuverlässigkeit der Stromversorgung ‌.

‌Hochspannung‌: SiC-MOSFETs haben eine hohe Spannungsfestigkeit, was besonders wichtig ist

für Hochdruckanwendungen ‌.

‌Hohe Temperaturstabilität ‌: Aufgrund seiner Hochtemperatur-Arbeitseigenschaften ist SiC-MOSFET

Verbessert die Hochtemperaturstabilität erheblich und eignet sich für Arbeiten bei hohen Temperaturen

Umfeld.

Hohe Betriebstemperatur ‌: Die maximal garantierte Betriebstemperatur von

Kommerzielle SiC-MOSFETs liegen bei 150 Grad < Tj < 200 Grad und die Sperrschichttemperatur kann bis zu 200 Grad betragen

bis 600 Grad, wodurch SiC für Hochspannung, hohe Geschwindigkeit, hohen Strom und hohe Temperatur geeignet ist.

Schaltnetzteilanwendungen ‌.

Teile-Nr.	Paket	BVDSS(V)	ID(A)@Tc=25 Grad	VGS(V)	RDS(an) (mΩ)typ	Tjmx(Grad)	Qg(nC)
WSCM01KMA170T2C	NACH-263USA-7L	1700	5	-5~15	720	175	13
WSCM01KJ170T2C	BIS-247-3L	1700	5	-5~15	720	175	13
WSCM160R120T2C	BIS-247-4L	1200	17	-5~20	160	175	42
WSCM80MA120T2C	NACH-263USA-7L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM80R120T2C	BIS-247-4L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM032MA120T2C	NACH-263USA-7L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM032R120T2C	BIS-247-4L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM060LL65T2C	MAUT	650	30	-5~20	60	175	65
WSCM060R65T2C	BIS-247-4L	650	30	-5~20	60	175	65
WSCM035J65T2C	BIS-247-3L	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM035R65T2C	BIS-247-4L	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM035LL65T2C	MAUT	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM032J120T2C	BIS-247-3L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM80J120T2C	BIS-247-3L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM01KEA170T2C	TO-3PF	1700	5	-5~15	720	175	13